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特征、相关参数：
VDS = -12V,VGS=±8，ID = -15A
RDS(ON) <15mΩ @ VGS=-4.5V ；
RDS(ON) <20mΩ @ VGS=-2.5V ；
RDS(ON) <45mΩ @ VGS=-1.8V ；
RDS(ON) <80mΩ @ VGS=-1.5V 。
Asvanced trench MOSFET process technology Ultra low on-resistance with low gate charge New Thermally Enhanced DFN2X2-6L Package
Application：
PWM applications Load switch battery charge in cellular handset
