四探针电阻率测试仪主要技术参数：
1.测量厚度大于4倍探针间距的硅晶体，也可测量薄硅片电阻率及方阻。
2.电阻率测量范围复盖*常用的区段：0.01—199.9Ω·cm。（可添加电阻率小于0.5Ω·cm的报警功能）
     方块电阻测量范围复盖*常用的区段：0.1—1999Ω/□。（可添加方块电阻小于5Ω/□的报警功能）
3.配置高精度恒流源，测量电流稳定，分两档：1mA、10mA，每档均可在大范围内调节（1mA：0.1—1mA；10mA：1mA—10mA）。
4.测量精度高：电器测量精度优于0.3%；
     整机测量误差：测量1-100Ω·cm的标准硅片误差≤±3%。
     测量大于100Ω·cm和小于1Ω·cm的标准硅片误差≤±5%。
5.重量轻，约2.5kg；体积小：240×210×100（mm）。
6.可配用多种探针间距的四探针头：1.00mm、1.59mm。
四探针电阻率测试仪符合半导体材料电阻率的及国家标准测试方法。