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简述
M5572是一款优化的高性能高集成的用于反激式变换器的电流模式PWM 控制芯片，具备低待机功耗和低成本的优点。M5572适应用于小功率AC/DC 单相智能电表、三相电表的供电电源以及充电器和电源适配器等高性能离线式脉宽调制控制器。正常工作下，PWM开关频率处于合理的范围内。在空载或轻载条件下，IC就会工作在“跳周期模式”来减少开关损耗，从而实现低待机功耗和高转换效率的实现。
电流检测和前沿消隐

M5572是current模式PWM控制，提供逐周期电流限制。开关电流是通过一个电阻接到CS引脚来检测。内部的前沿消隐电路会屏蔽掉电压尖峰内部功率MOSFET的初始状态，由于缓冲二极管反向恢复电流和DRV功率MOSFET浪涌电流造成的检测电压尖峰，导致电流限制比较器被屏蔽，无法关断功率MOSFET。PWM的占空比是由CS电流检测输入电压和COMP输入电压计算确定的。

内部同步斜坡补偿

内部斜坡补偿电路是将一个斜坡电压加入CS引脚输入电压来帮忙生成PWM 信号，它大大提高了在CCM下的闭环稳定性，防止次谐波振荡，从而降低输出纹波电压。

跳周期模式操作

在轻载或空载状态，开关电源的功耗来源于开关MOSFET 的损耗、变压器磁心损耗和启动电路损耗，功率损耗的大小在于开关频率的比例。较低的开关频率，能降低功率损耗，从而节约了能源。

开关频率在空载或轻载条件下自行调节，降低开关频率在轻载、空载的情况下可以提高转换效率。只有当VDD电压下降到低于预先设定的值且COMP 电压处在适当状态的时候，DRV驱动才处于打开状态，否则，DRV驱动将处于关闭状态来程度的降低开关损耗和待机损耗。

开关频率的控制消除了在任何负载条件下的噪声。

驱动

功率MOSFET是由专用DRV驱动功率开关驱动控制。DRV 驱动强度越弱，功率管的导通损耗和MOSFET开关损耗就越大；而DRV驱动越强，直接影响EMI性能。一个很好的权衡方法为通过内置的图腾柱栅驱动设计，适当的驱动能力和DRV 设计合适的死区时间来实现控制。通过这种设计很容易达到良好的电磁系统的设计和降低空载损耗的目的。M5572将功率MOS内置，无需考虑驱动电路设计，节省空间。

保护控制

好的电源系统的可靠性需要有自动恢复特性的保护功能，包括逐周期电流限制(OCP)，过载保护(OLP)和VDD的欠压保护；无锁存关闭功能还包括过温保护(OTP)，固定或可调的VDD电压保护(OVP)。在全电范围内，OCP被补偿后达到恒定输出功率。在过载条件下，当COMP输入电压超过TD_PL功率极限阈值时，控制电路会关闭转换器。只有在输入电压低于阈值功率极限后才重新启动。

特点：

软启动功能，减少应力功率MOSFET VDS

降低EMI频率抖动功能

内置900V高耐压低阻值MOSFET

跳周期模式控制的改进，提高效率降低待机功耗

消除音频噪声

65khz的开关频率

综合保护性能

带迟滞功能的VDD欠压保护

逐周的过流阈值设置，在全电压范围内恒定输出功率

过载保护(OLP)与自动恢复

自动恢复的过温保护(OTP)

自动恢复的VDD过压保护(OVP)
 

优势产品：

1、副边电源驱动：M5572、M5573A、M5573B、M5573N、M5576、M5358、M6101(DOE VI)、M6103(DOE VI)、M6362A(DOE VI)

2、原边电源驱动IC：M5832A、M5832、M5835、M5836、M5838、M5839、M5839、M5840、M683X(DOE VI)
3、LED隔离驱动IC：M8900、M8910、M8911、M8911A、M8912、M8920
4、非隔离LED驱动IC：M8914、M8915、M8916、M8917、M8918、M8919、M8928
5、同步整流：M3015
6、IO-Link信号通信收发IC：M7101
7、锂电池充电IC：M4054、M1056