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JKZC-ST4型半导体材料数字式四探针测试仪
关键词：电阻，电阻率，四探针，半导体
一、产品概述
JKZC-ST4型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准。
仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、测量简便、结构紧凑、使用方便等特点。
仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。
二、符合：
1、符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、
2、符合GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》
3、符合美国 A.S.T.M 标准
二、产品应用：
1、测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；
2、可测柔性材料导电薄膜电阻率/方阻
3、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）电阻率/方阻
4、纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻
5、电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量
6、可测试电池片等箔上涂层电阻率方阻
二、基本技术参数
1、 测量范围
电 阻：1×10-4～2×105 Ω ，分辨率：1×10-5～1×102 Ω
电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm
方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□
静压电系数：0-2000PC/N（另配）
2、测量方式：自动或手动
3、基本精度：±0.1/%
4、四探针探头：
(1)碳化钨探针：Φ0.5mm，直线探针间距1.0mm，探针压力: 0～2kg 可调
(2)薄膜方阻探针：Φ0.7mm，直线或方形探针间距2.0mm，探针压力: 0～0.6kg 可
5. 电源：198V －242V(AC），47.5Hz －63Hz
6、操作环境： 0°C －40°C ，≤90%RH
7、外形尺寸：200mm（长）×220 mm（宽）×100mm（高）
8、数据传输方式；USB
9、软件方式：人性化分析软件界面，数据自动生成
10、可以配合压电材料的静压电d33系数:0-2000PC/N
分析软件（一）
JKZC-ST4型半导体材料数字式四探针测试仪
关键词：电阻，电阻率，四探针，半导体
一、产品概述
JKZC-ST4型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准。
仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、测量简便、结构紧凑、使用方便等特点。
仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。
二、符合：
1、符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、
2、符合GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》
3、符合美国 A.S.T.M 标准
二、产品应用：
1、测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；
2、可测柔性材料导电薄膜电阻率/方阻
3、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）电阻率/方阻
4、纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻
5、电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量
6、可测试电池片等箔上涂层电阻率方阻
二、基本技术参数
1、 测量范围
电 阻：1×10-4～2×105 Ω ，分辨率：1×10-5～1×102 Ω
电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm
方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□
静压电系数：0-2000PC/N（另配）
2、测量方式：自动或手动
3、基本精度：±0.1/%
4、四探针探头：
(1)碳化钨探针：Φ0.5mm，直线探针间距1.0mm，探针压力: 0～2kg 可调
(2)薄膜方阻探针：Φ0.7mm，直线或方形探针间距2.0mm，探针压力: 0～0.6kg 可
5. 电源：198V －242V(AC），47.5Hz －63Hz
6、操作环境： 0°C －40°C ，≤90%RH
7、外形尺寸：200mm（长）×220 mm（宽）×100mm（高）
8、数据传输方式；USB
9、软件方式：人性化分析软件界面，数据自动生成
10、可以配合压电材料的静压电d33系数:0-2000PC/N
