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可测参数： Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管结电容测试
可测器件： IGBT，二管，氮化镓、碳化硅 MOSFET 等
测试频率：1MHz
测试电压范围：Vds 0~1200V，Vgs ±25V
信号电压范围：1mV~1000mV
Rg 范围：≤300Ω
测试精度：0.01pf
华科智源栅电阻/栅电容测试仪特点：
1，测试速度快。
2，可点测和扫描曲线。
3，测试精度高，测试结果稳定精准。
4，可随时保存数据和波形，可直接生成规格书用的图片或 CSV 描点文件。
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